品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 进口 |
---|---|---|---|
应用领域 | 医疗卫生,生物产业,电子,航天,综合 |
UV纳米压印机
nm印压(ya)技术应用是(shi)上(shang)新世纪90年间Stephen Y Chou,对于以(yi)(yi)往式(shi)光(guang)刻受(shou)主(zhu)波长限止提供的(de)近(jin)似于范(fan)(fan)例(li)刻印的(de)一个(ge)技术工(gong)艺。它的(de)方法(fa)是(shi):将有着(zhe)奈(nai)米节(jie)构类(lei)型(xing)(xing)的(de)的(de)范(fan)(fan)例(li)在(zai)必定心(xin)理压(ya)力,压(ya)入升温的(de)熔(rong)融的(de)好成绩数(shu)子(zi)透明膜内,待好成绩数(shu)子(zi)的(de)材料降温,奈(nai)米节(jie)构类(lei)型(xing)(xing)的(de)成型(xing)(xing),移去范(fan)(fan)例(li),而(er)后再(zai)在(zai)等正(zheng)离子(zi)体刻蚀等以(yi)(yi)往式(shi)的(de)微网上(shang)代(dai)加工(gong)的(de)方法(fa)把节(jie)构类(lei)型(xing)(xing)的(de)转出到底材上(shang)。 流程(cheng)下述图(tu)如图(tu)是(shi):
随着热印压都要用(yong)于(yu)(yu)较高(gao)各种压力(li),非常极易影响范(fan)本图(tu)(tu)片,不(bu)助进于(yu)(yu)范(fan)本图(tu)(tu)片几次(ci)选用(yong),还(hai)有就是随着原(yuan)(yuan)材料和衬底热公式并(bing)不(bu)相当(dang),非常极易构(gou)成微(wei)米(mi)节构(gou)常见(jian)问题,于(yu)(yu)似(si)乎(hu)G.G.Willson 确立了UV紫(zi)外(wai)线(xian)线(xian)干固压纹(wen)。该设(she)备关键原(yuan)(yuan)理图(tu)(tu)是:采用(yong)低消(xiao)费黏性,流通性好的(de)(de)整合(he)物滴(di)到基材上,采用(yong)粘液*的(de)(de)孔(kong)隙毛(mao)细现象,使(shi)光刻(ke)胶冲满设(she)计,而后(hou)能够 UV紫(zi)外(wai)线(xian)线(xian)采光射使(shi)其(qi)干固,而后(hou)出模,刻(ke)蚀。整个过程正确图(tu)(tu)表(biao)达
到近几年结束印压(ya)高(gao)技能现(xian)在已经开(kai)发出来了(le)多种不(bu)同类形,举例的(de)分为热塑印压(ya)高(gao)技能、分光(guang)(guang)光(guang)(guang)度计凝(ning)固后(hou)印压(ya)、微沾(zhan)染納米(mi)印压(ya)、激光(guang)(guang)手(shou)术协(xie)助(zhu)納米(mi)印压(ya)和滚轴式納米(mi)印压(ya)高(gao)技能等。
关键在于具备领(ling)域愈发(fa)上(shang)涨对(dui)納米压纹的供(gong)需,济南昊量发(fa)行了(le)UV纳米技术热(re)转印工(gong)艺(yi)机(ji)。
该机器(qi)设备是因为(wei)UV紫外线固化型(xing)的奈米(mi)热转印工艺机,可展示 25英寸;4屏(ping)幕(mu)尺寸和(he)6厘(li)米(mi)不会等的印压尺寸图。鉴别率可达到可能10nm,同(tong)时享有99%劳动生产率。
该设施设备(bei)的*独(du)到之处是(shi)已提(ti)升的自主成膜(mo)科技。该机器能够 利用手机app的调(diao)节纳米(mi)级压(ya)纹(wen)腔(qiang)身上外的压(ya)强,是(shi)范本从衬底上自主成膜(mo)。或者可尽量避免(mian)拆分环节中容易造成底材和范本的损(sun)毁。
该货品享用以上的优势:
l 辨别好坏(huai)率相对(dui)比(bi)较10μm,产出率远远超过99%
l 一并(bing)选代替软模(mo)和平稳模(mo)板图片
l 电脑自(zi)动成型(xing),严防模(mo)板(ban)免费和(he)柔性板(ban)坏损
l 可印压多种尽寸的摸板(ban)和基(ji)片,方便(bian)简洁比较灵活
l 可程(cheng)序语言的PLC触(chu)控(kong)程(cheng)序界面
l 挡住首选项
应用软件例子:
货品指标:
AUV-200 | AUV-400 | AUV-600 | |
Substrate size | 2 inch standard | 4 inch standard | 6 inch standard |
Imprint area | Same as wafer size | ||
Imprint pressure | 1 psi standard | ||
UV exposure time | 2-3 min at 95% intensity level |