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SEM刻蚀子系统

概(gai)诉描(miao)叙(xu)：SEM刻(ke)蚀子系(xi)统(tong)：XENOS刻(ke)写子系(xi)统(tong)是一种(zhong)允(yun)许设计图(tu)案数据并产生用于带电粒子束（例如用于半导体光(guang)刻(ke)应用或(huo)聚焦离(li)子束系(xi)统(tong)的电子束）转向的相应偏转信号的系(xi)统(tong)。可以连接(jie)到传统(tong)的扫描(miao)电子显微(wei)镜(jing)、FIB或(huo)双光(guang)设备上(shang)，升级系(xi)统(tong)，在半导体或(huo)其他材料上(shang)进行(xing)纳米光(guang)刻(ke)。

企业产品参数：

生产厂材质：代理商

提升时间间隔：2024-06-13

访问量：188

品牌	其他品牌	价格区间	10万-30万
组件类别	其他	应用领域	综合

SEM公路刻蚀子模(mo)式(shi)

XENOS刻写子系统是一种允许设计图案数据并产生用于带电粒子束（例如用于半导体光刻应用或聚焦离子束系统的电子束）转向的相应偏转信号的系统。可以连接到传统的扫描电子显微镜、FIB或(huo)双(shuang)光设备上，升级(ji)系统，在半导体或(huo)其他材(cai)料上进(jin)行纳(na)米光刻。

高速度刻写

可变现高达到40MHz的的像素互传速率。是因为应用了自动化载入java算法，可考虑到某一SEM的受限偏转互传速率。提升的数据显示互传和平稳准确时间计算出与高载入访问速度相筛选，以保证迅速的载入的因此缺点。

智能化且代用的文件格式(shi)

使用三阶多项式扫描逻辑，可以仅基于硬件以Max速度生成和写入这些多项式。因此，圆形、环形或椭球体可以由同心的单像素环书写，通常在曝光过程中不需要消隐。并且，可以用Min的数据开销和传输时间来实现理想的写入速度和近似质量。此外，与结构的多边形部分的光栅扫描相比，偏转信号的正(zheng)弦(xian)形状消(xiao)耗(hao)的偏转带宽要小得多。同(tong)时，写(xie)入算法对称地使用X轴和Y轴的带宽。

高灵活性

模块化系统可以进行配置，以满zu您的需求。逻辑配置和(he)DSP内核可以在几分钟(zhong)内更新，以提供新功能。

性能高，app接面友好关系

全部的偏转信息制成是在每轴16/32位的可代码方法论元器件封装中实现了的。特备是场测量不操作带宽使用限制的乘法模仿DAC，往往是数字8实现的，工作上到Max注入加速度，而在形成的偏转信息中并没有任意偏色。设定图片软件ECP通过Linux或Windows食用，CAD那部分可在运作组中公民权食用。

SEM刻蚀子系统应用图例：

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SEM刻蚀子系统

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