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SiPM单光子探测器

简单描素:SiPM单光(guang)子(zi)探测器硅光(guang)电倍增(zeng)管(Silicon photomultiplier,简称SiPM),是(shi)一种新型的光(guang)电探测器件(jian),由工作(zuo)在盖革(ge)模式(shi)的雪崩二(er)极管阵列组(zu)成,具有增(zeng)益高、灵敏(min)度(du)高、偏(pian)置电压低、对磁场(chang)不敏(min)感、结构紧凑等特点(dian)。发明于(yu)二(er)十(shi)世(shi)纪九十(shi)年(nian)代(dai)末,广(guang)泛应用于(yu)高能(neng)物理及核(he)医学(PET)等领(ling)域,代(dai)表着未来极微弱光(guang)探测器的发展方向(xiang)。

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  • 茶叶品牌类型:代理商
  • 更新时时:2022-10-14
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详解讲解
品牌其他品牌产地类别进口
应用领域医疗卫生,电子,综合


硅光电倍增管(Silicon photomultiplier,简称SiPM),是一种新型的光电探测器件,由工作在盖革模式的雪崩二极管阵列组成,SiPM单光子探测器具有增益高、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。SiPM单光子探测器发(fa)明于(yu)二(er)十(shi)世纪九十(shi)年代末,广泛(fan)应用(yong)于(yu)高能物理及核医(yi)学(xue)(PET)等领域,代表(biao)着未来极微弱光探测器的发(fa)展(zhan)方向(xiang)。


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常见参数设置:

有效面积3mmX3mm
像元尺寸15um
微孔数量38800
探测效率31% @ 430nm,   ctrl=0.7V
暗计数率125kHz/mm3
串扰几率18%
残留脉冲几率5%
恢复时间15ns
跨阻增益150V/A
输出带宽12.5MHz
偏置电压0-1V
输入电压5VDC
功耗350mW (typ.)
外观尺寸40mm×50mm×19.8mm
工作温度0-60oC


选用图例:


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